技術(shù)編號(hào)：7100953
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，具體而言，涉及分離溝道(split-channel)晶體管及其形成方法。背景技術(shù)晶體管的驅(qū)動(dòng)電流與該晶體管的溝道區(qū)中的載流子的遷移率有夫。因此，通過增加載流子的遷移率，可以提聞晶體管的驅(qū)動(dòng)電流。II1-V族化合物半導(dǎo)體材料具有高遷移率值。因此，人們正在研究利用II1-V族化合物半導(dǎo)體材料的晶體管。然而，由于II1-V族化合物半導(dǎo)體材料具有較窄的帶隙，因此所得到的晶體管的源漏漏電流也就較高。發(fā)明內(nèi)容一方面，本發(fā)明提供了ー種器件，所述器件...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。