技術編號：7101677
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體器件，更具體而言，涉及一種相變隨機存取存儲(PCRAM)器件及其制造方法。背景技術相變隨機存取存儲(PCRAM)器件經(jīng)由流動在頂電極與底電極之間的電流將插入在頂電極與底電極的相變層改變?yōu)榫B(tài)或非晶態(tài)。利用相變層在晶態(tài)中的電阻與相變層在非晶態(tài)中的電阻之間的差來讀取儲存在單元中的信息。PCRAM器件可以使用硫族化物層作為相變材料。硫族化物層表示諸如硫⑶、硒(Se)以及碲(Te)的硫族元素的化合物。作為硫族化物材料，可以使用鍺-銻-碲(GST...
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