技術編號：7102995
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體功率器件，確切地說涉及一種具有延伸介質槽和槽柵結構的低功耗半導體功率器件的制造方法。背景技術功率MOSFET是多子導電型器件，具有輸入阻抗高、頻率高、導通電阻具有正溫度系數等諸多優(yōu)點。這些優(yōu)點使其在功率電子領域得到了廣泛應用，大大提高了電子系統(tǒng)的 效率。器件耐高壓需要漂移區(qū)較長且漂移區(qū)摻雜濃度低。然而，隨著漂移區(qū)長度的增加和摻雜濃度的降低，導致器件的導通電阻(及供)增加，開態(tài)功耗增大。器件導通電阻兄《與擊穿電壓BV存在如下關系即Lur25。...
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