技術(shù)編號：7103011
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明 構(gòu)思的實施例涉及。背景技術(shù)在高度集成的半導(dǎo)體器件的制造過程中，正積極研究增加溝道區(qū)域內(nèi)載流子遷移率的方法以努力增強器件性能。在一個方法中，已經(jīng)確定通過在半導(dǎo)體器件中形成應(yīng)力層而向溝道區(qū)域施加拉應(yīng)力或壓應(yīng)力可獲得增加的載流子遷移率。具體地，通過形成拉應(yīng)力層能夠提高主要載流子是電子的η-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(NMOS)區(qū)域中的電子遷移率。同樣，通過形成壓應(yīng)力層能夠提高主要載流子是空穴的P-溝道金屬氧化物半導(dǎo)體(PMOS)區(qū)域中的空穴遷移率。為了進一步增...
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