技術(shù)編號：7103725
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路，尤其涉及一種基于平面應(yīng)變SiGeHBT器件的BiCMOS集成器件及制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體集成電路技術(shù)是高科技和信息產(chǎn)業(yè)的核心技術(shù)，已成為衡量一個國家科學(xué)技術(shù)水平、綜合國力和國防力量的重要標(biāo)志，而以集成電路為代表的微電子技術(shù)則是半導(dǎo) 體技術(shù)的關(guān)鍵。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是國家的基礎(chǔ)性產(chǎn)業(yè)，其之所以發(fā)展得如此之快，除了技術(shù)本身對經(jīng)濟(jì)發(fā)展的巨大貢獻(xiàn)之外，還與它廣泛的應(yīng)用性有關(guān)。英特爾(Intel)創(chuàng)始人之一戈登 摩爾(Gordon Moore)于...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。