技術(shù)編號：7103727
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體功率器件，特別是縱向高壓器件耐壓區(qū)材料和結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)眾所周知，傳統(tǒng)縱向功率器件是通過一層低摻雜的半導(dǎo)體漂移區(qū)來承受高壓。例如最典型的縱向雙擴(kuò)散MOS器件(VDMOS )，在其截止時，低摻雜的漂移區(qū)將出現(xiàn)全耗盡，從而引入空間電荷，承受高壓。顯然，加大漂移區(qū)長度或降低漂移區(qū)的摻雜均可提高VDMOS的耐壓，然而上述兩項提高耐壓的措施均會對器件的比導(dǎo)通電阻造成嚴(yán)重影響。根據(jù)文獻(xiàn)[C. Hu, Optimum doping profile for ...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。