技術(shù)編號：7105257
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于納米材料制備，尤其是涉及。背景技術(shù)作為最重要和應(yīng)用最廣泛的半導(dǎo)體材料，娃一直以來都是研究熱點(diǎn)，相比于體娃材料，納米硅材料(硅納米線，硅納米管，硅納米粒子)具有更優(yōu)越的物理，化學(xué)，電學(xué)以及光學(xué)性能。在鋰電池領(lǐng)域，因?yàn)楣枋且阎木哂?最高電容的陽極材料，因此被廣泛研究，但是硅材料在充放電的過程中，因?yàn)殇囯x子的反復(fù)插入抽出，使得硅材料很容易變形最后導(dǎo)致電容的下降。近幾年，一些研究組研究了各種硅納米結(jié)構(gòu)對電容的影響。崔毅教授研究組制備了核-殼結(jié)構(gòu)的硅納米...
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