技術(shù)編號：7107090
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及采用模鑄封裝(mould package)等非氣密性封裝的，特別涉及能夠防止高頻特性的惡化、提高耐濕性的。背景技術(shù)使用GaAs、GaN等化合物半導(dǎo)體的場效應(yīng)晶體管等高頻半導(dǎo)體裝置的通用化急速發(fā)展，對削減成本的要求強(qiáng)烈。為適應(yīng)該要求，開始采用低價格的模鑄封裝，取代此前的完全氣密性的金屬封裝。然而，采用模鑄封裝等非氣密性封裝時，為防止以水分為原因而發(fā)生的種種劣化，需要提高半導(dǎo)體裝置的耐濕性。以往，用通過等離子體CVD等形成的SiN膜等厚膜的絕緣膜以覆...
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