技術(shù)編號：7107356
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及單晶GaN納米管的外延生長方法，主要是利用InN納米棒作為形核層，利用core-shell結(jié)構(gòu)生長高度均一、豎直排列的單晶GaN納米管。背景技術(shù)氮化鎵一種新型的III/V族寬禁帶直接帶隙半導體。由于特殊的光學電學性質(zhì)，氮化鎵被廣泛的用于各種光學、電學器件，如LEDs、LDs等，氮化鎵基LED是固態(tài)發(fā)光器件的核心技術(shù)。近年來GaN納米結(jié)構(gòu)已成為研究的新熱點。由于其具有量子尺寸效應,納米GaN表現(xiàn)出了與固體材料不同的特殊性質(zhì)，更具有很多特殊的性能。利...
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