技術(shù)編號(hào)：7107394
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及包括半導(dǎo)體層的薄膜晶體管，及使用該薄膜晶體管的電子設(shè)備。背景技術(shù)近年來(lái)，薄膜晶體管(TFT)已被用作各種電子設(shè)備的開關(guān)器件等。關(guān)于這種TFT， 眾所周知的是使用無(wú)機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層(溝道層)的無(wú)機(jī)TFT以及使用有機(jī)半導(dǎo)體材料來(lái)形成半導(dǎo)體層(溝道層)的有機(jī)TFT。TFT包括柵電極；通過(guò)其間的柵極絕緣層與該柵電極分離的半導(dǎo)體層；以及與該半導(dǎo)體層連接且彼此分離的源電極和漏電極。為了實(shí)現(xiàn)高性能的TFT，需要保證柵電極與源電極之間以及柵電極與漏電極...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。