技術(shù)編號(hào)：7108470
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于半導(dǎo)體集成電路制造工藝，具體涉及。背景技術(shù)集成電路工藝中，關(guān)鍵圖形如柵極的尺寸是衡量半導(dǎo)體器件性能的重要指標(biāo)。柵結(jié)構(gòu)的形成一般采用光刻加刻蝕的方法，然而當(dāng)柵極尺寸縮小至50nm以下時(shí)，即使采用分辨率增強(qiáng)技術(shù)(Resolution Enhancement Technology, RET),傳統(tǒng)的光刻手段也無法滿足工藝需求。 目前，45nm以下技術(shù)代的關(guān)鍵層次的光刻會(huì)采用浸沒式(Emersion)光刻或雙重圖形化(Double Patterning)...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。