技術(shù)編號(hào)：7108659
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種薄膜晶體管陣列基板，特別是一種顯示器的薄膜晶體管陣列基板。背景技術(shù)近年來，已積極發(fā)展使用含銦、鎵、鋅、及氧的透明非晶氧化物半導(dǎo)體膜當(dāng)作通道層的薄膜晶體管(Film Transistor, TFT)。在半導(dǎo)體制程中，因半導(dǎo)體摻入雜質(zhì)如硼、磷或砷等時(shí)會(huì)產(chǎn)生大量空位，使原子排列混亂，導(dǎo)致半導(dǎo)體材料性質(zhì)劇變，因此需要退火來恢復(fù)晶體的結(jié)構(gòu)和消除缺陷，也有利把間隙式位置的雜質(zhì)原子通過退火而讓它們進(jìn)入置換式位置。在含氧環(huán)境中進(jìn)行退火制程已經(jīng)是使用含銦、...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。