技術(shù)編號：7108936
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于半導體器件，涉及高電子遷移率晶體管(HEMT)。背景技術(shù)氮化鎵(GaN)是第三代寬禁帶半導體的代表之一，具有優(yōu)良的特性高的臨界擊穿電場Γ3. 5X106V/cm)、高電子遷移率r2000cm2/V · S)、高的二維電子氣(2DEG)濃度ri013cm_2)、高的高溫工作能力。基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)的高電子遷移率晶體管(HEMT)(或異質(zhì)結(jié)場效應晶體管HFET，調(diào)制摻雜場效應晶體管M0DFET，以下統(tǒng)稱為HEMT器件)在半導體領域已經(jīng)取得廣...
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