技術(shù)編號(hào)：7122388
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及原子層沉積方法和原子層沉積設(shè)備。背景技術(shù) 集成電路制造過程中的半導(dǎo)體處理通常包括在半導(dǎo)體襯底上沉淀層。一種這樣的方法是原子層沉積(ALD)，所述原子層沉積包括在通常維持在低于大氣壓的沉積室中將連續(xù)的單層沉積在襯底上。利用典型的ALD，通常通過將不同的沉積前體(precursor)連續(xù)供給襯底表面，將連續(xù)的單原子層吸附到襯底上和/或與襯底上的外層起反應(yīng)。示例性ALD方法包括將單個(gè)汽化前體供給沉積室，以有效地在容納在其內(nèi)的襯底上形成第一單層。此后，使...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。