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GaAs太陽電池用Ge/Si襯底片的制備方法技術資料下載

技術編號:7126536

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本發(fā)明屬于太陽電池,特別是涉及一種。背景技術以GaAs為代表的III - V族太陽電池因其光電轉換效率高而倍受青睞。作為太陽電池襯底的Ge由于與GaAs材料的晶格常數(shù)接近(它們的晶格失配度為0. 1%),一定的生長條件下,在Ge片上外延生長GaAs材料制成的太陽電池具有很高的性能,因此Ge片上外延生長GaAs材料已成為GaAs太陽電池領域中重要的襯底片。但是由于Ge材料價格較高、重量較大,提高了電池的成本和重量。而Si材料相對于Ge材料來說不僅價格較便宜,...
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