技術(shù)編號：7126748
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實用新型涉及發(fā)光二極管外延結(jié)構(gòu)。背景技術(shù)目前，常用AIGaInP (鋁鎵銦磷)系發(fā)光二極管的外延結(jié)構(gòu)為在N型GaAs襯底基礎(chǔ)上依次生長有N型GaAs (砷化鎵)緩沖層、布拉格反射層、N型下限制層、有源層、P型上限制層和P型電流擴展層。單一 P型電流擴展層的結(jié)構(gòu)，其上表面是平面狀，因此，當位于中間夾層的有源層發(fā)光時，除一部分光線出射于LED器件的外部，由于半導體材料相對于外部空氣而言為高折射率材料，當光線的出射角度大于一定臨界角時，另有大部分光線會產(chǎn)生全反...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。