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技術(shù)編號(hào)：7131798

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本發(fā)明屬于半導(dǎo)體制造工藝，具體涉及一種接觸孔處理工藝中防止旁瓣被刻蝕轉(zhuǎn)移到襯底的方法。背景技術(shù)在先進(jìn)的半導(dǎo)體制造工藝中，PSM(移相掩膜)的使用越來越廣泛。尤其在接觸孔光刻方面，Attenuated PSM-弱化移相掩膜(或稱HalfTone Mask，意為半調(diào)膜)已經(jīng)成為0.18um及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)中通用的解決方案。但由于Attenuated PSM在非接觸孔區(qū)域也有6％(或8％)的透光率，在正?？妆黄爻鰜淼耐瑫r(shí)，Side lobe(旁瓣，或稱Dimple...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。

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