技術(shù)編號：7131800
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明屬于集成電路(IC)制造工藝，具體涉及一種用于制造閃爍存儲器控制柵堆結(jié)構(gòu)的側(cè)壁形成工藝。背景技術(shù) 存儲器不僅應用于各種類型電子數(shù)字計算機，成為計算機的主要組成部分之一，也廣泛地應用于其他電子。長期以來，數(shù)字計算機用磁芯作為存儲單元。隨著計算技術(shù)的發(fā)展，在性能和生產(chǎn)效率等方面磁芯已經(jīng)不能適應各種要求了。半導體存儲器的研制成功和大量生產(chǎn)，大大促進了計算機的發(fā)展。由于MOS存儲器在高密度、大容量和低功耗、低成本方面具有顯著優(yōu)點，所以它在半導體存儲器中一直占...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。