技術(shù)編號：71334
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。 發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域本發(fā)明涉及一種其研磨層具有三維結(jié)構(gòu)的研磨墊，更具體涉及用于用CMP(化學(xué)機(jī)械拋光)方法對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行平面化(planarizing)的其研磨層具有三維結(jié)構(gòu)的研磨墊。 發(fā)明的背景CMP方法是一種公知的順應(yīng)設(shè)備高集成化和多層布線要求的對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行平面化的標(biāo)準(zhǔn)方法。CMP系統(tǒng)的基本結(jié)構(gòu)包括兩個單元，一個用于加工，另一個用于清潔。加工單元的基本結(jié)構(gòu)通常包括頭部用于提供轉(zhuǎn)動和加壓同時保持半導(dǎo)體晶片，頭部的驅(qū)動裝置，用來面朝半導(dǎo)體固定研磨墊的臺板，以及臺板的驅(qū)動裝置。加工單元還包括用來整修(修整)研磨...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。