技術(shù)編號(hào)：7134427
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明關(guān)于一種半導(dǎo)體元件的堆疊式閘極結(jié)構(gòu)的制造方法，特別是有關(guān)于場(chǎng)效晶體管的堆疊式閘極結(jié)構(gòu)的制造方法。背景技術(shù) 長(zhǎng)久以來(lái)，較高的元件操作速度一直是晶片制造者所追求的目標(biāo)，而降低閘極的片電阻及接觸孔(contact)的阻值是可以達(dá)成前述目標(biāo)的有效方法之一，因此，目前在0.18μm世代以后的DRAM制程當(dāng)中，poly-Si/WN/W閘極結(jié)構(gòu)已被視為深具潛力的結(jié)構(gòu)，其中，WN用以作為阻障層(barrier layer)，可防止復(fù)晶硅中的硅原子與上層的鎢原子交互擴(kuò)...
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