技術(shù)編號(hào)：7134431
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及電介體膜及其形成方法、以及使用電介體膜的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。背景技術(shù) 電介體膜是由氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si2N3)所構(gòu)成的膜，這些電介體膜是使用在如半導(dǎo)體裝置的閘極絕緣層、或透鏡被覆層方面。此外，電介體膜是利用如等離子體(plasma)氧化法而形成(例如參照專利文獻(xiàn)1與2)。(專利文獻(xiàn)1)日本專利特開平11-279773號(hào)公報(bào)(第4至7頁、第1圖)(專利文獻(xiàn)2)日本專利特開2001-102581號(hào)公報(bào)(第3至5頁、第1圖)發(fā)明內(nèi)容在上...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。