技術(shù)編號(hào)：7136179
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及硅上金屬(metal-on-silicon)(MOS)結(jié)構(gòu)，具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明涉及其中包含低電阻擴(kuò)散區(qū)的MOS結(jié)構(gòu)，所說(shuō)的低電阻擴(kuò)散區(qū)具有可以接受的缺陷密度、可靠性、和過(guò)程控制性。雙極性晶體管在集電極區(qū)使用較高的摻雜層，以減小集電極電阻和改善器件特性。這個(gè)區(qū)稱之為亞集電極，它形成在構(gòu)成雙極性晶體管的其它的擴(kuò)散區(qū)的下面。然而，在連接這個(gè)亞集電極和具有相當(dāng)?shù)偷碾娮钄U(kuò)散的表面的集電極觸點(diǎn)下面，必須形成較高的摻雜透過(guò)擴(kuò)散。這是眾所周知的、標(biāo)準(zhǔn)的、雙極性晶體...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。