技術(shù)編號：7138682
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及金屬氧化物TFT的制備工藝，特別是全室溫下制備底柵結(jié)構(gòu)的單掩模自組裝低壓雙電層ITO透明薄膜晶體管的工藝。背景技術(shù)近幾年來，越來越多的小組對全室溫下制備的TFT有著很大的興趣。自從2005年，F(xiàn)ortunato等人在全室溫條件下制備出性能很好的TTFT器件,其飽和遷移率達(dá)到27cm2 /Vs,閾值電壓為19V，開關(guān)比大于105，全室溫條件下制備的器件，性能已經(jīng)比較理想，閾值電壓有待于優(yōu)化。對于改善器件的性能，采用非晶氧化物作為溝道層也是一種方法。...
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