技術(shù)編號(hào)：7139858
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)用新型涉及一種超級結(jié)MOSFET元器件。背景技術(shù)功率半導(dǎo)體器件是不斷發(fā)展的功率-電子系統(tǒng)的內(nèi)在驅(qū)動(dòng)力，尤其是在節(jié)約能源、動(dòng)態(tài)控制、噪音減少等方面。功率半導(dǎo)體器件主要應(yīng)用于對能源與負(fù)載之間的能量進(jìn)行控制，并且應(yīng)當(dāng)擁有精度高、速度快和功耗低的特點(diǎn)。在功率電路中，功率半導(dǎo)體器件(特別是M0SFET，簡稱為M0S)主要用作開關(guān)器件，由于它 是多子器件，所以其開關(guān)功耗相對較小。而它的通態(tài)功耗則比較高，要降低通態(tài)功耗，就必須減小導(dǎo)通電阻Rdsm。因此，功率半導(dǎo)體器...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。