技術編號：7141227
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本實用新型涉及LED光電子器件的制造，特別是適合大電流驅動的氮化物LED外延生長結構。背景技術基于氮化物AlxInyGa1^yN (O ^ x, y ^ I ；x+y ( I ;纖鋅礦晶體結構)半導體材料的發(fā)光二極管LED以其節(jié)能、環(huán)保、長壽命等優(yōu)點逐漸在電子顯示屏、景觀照明、礦燈、路燈、液晶顯示器背光源、普通照明、生物醫(yī)藥等領域展開廣泛應用。由于氮化物AlxInyGanyN(O ^ x,y ^ I ；x+y ( I)半導體的寬禁帶寬度大約處于1.9 6....
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