技術(shù)編號:7145083
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法,更具體而言,涉及一種三維非易失性存儲器件、包括三維非易失性存儲器件的存儲系統(tǒng)以及制造三維非易失性存儲器件的方法。背景技術(shù)已經(jīng)朝著可以改善集成度的方向研發(fā)了用于存儲器件的技術(shù)??傮w而言,為了改善存儲器件的密度,已經(jīng)研發(fā)了減小二維布置的存儲器單元的尺寸的方法。根據(jù)二維(2D)存儲器件的存儲器單元的尺寸的減小,沖突和干擾會增加。結(jié)果,難以執(zhí)行多電平單元(Multi Level Cell,MLC)操作。為了克服2D存儲器件的限...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。