技術(shù)編號：7146013
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成，尤其涉及一種鍺基MOSFET柵介質(zhì)的制備方法。背景技術(shù)半導(dǎo)體技術(shù)作為信息產(chǎn)業(yè)的核心和基礎(chǔ)，被視為衡量一個國家科學(xué)技術(shù)進步和綜合國力的重要標志。在過去的40多年中，以硅基CMOS技術(shù)為基礎(chǔ)的集成電路技術(shù)遵循摩爾定律通過縮小器件的特征尺寸來提高芯片的工作速度、增加集成度以及降低成本，集成電路的特征尺寸由微米尺度進化到納米尺度。但是當MOS器件的柵長減小到90納米后，柵氧化層的厚度只有I. 2納米，摩爾定律開始面臨來自物理與技術(shù)方面的雙重挑...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。