技術(shù)編號：7147054
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及一種鈣鈦礦/石墨烯復合薄膜電極的制備。背景技術(shù)目前廣泛研究的鈣鈦礦型光催化劑屬于寬禁帶的η型半導體化合物。半導體受光照激發(fā)，產(chǎn)生光生電子-空穴對，光生空穴容易得到電子而具有強氧化性，可用來分解水體中的有機污染物。但是鈣鈦礦作為光催化劑存在的缺陷是1、產(chǎn)生的光生電子和空穴很容易復合，而使其催化降解效率降低；2 由于它的量子產(chǎn)率較低(約4 %)、難負載，因而阻礙了其進一步的應用。已有報道將鈣鈦礦納米粒子負載在玻璃上，并研究了其光催化性能。所使用的方法...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。