技術(shù)編號：7148262
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件的制造工藝，特別是涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體制造工藝中，接觸孔(Contact)通常有兩種一種是有源區(qū)上的接觸孔，另一種是多晶硅柵極上的接觸孔。圖1是一種傳統(tǒng)的采用干法刻蝕接觸孔后在顯微鏡下的照片，可以看到在在淀積金屬后，金屬會在磷硅玻璃層的尖角處產(chǎn)生空洞。而如果采用濕法腐蝕，則如圖2所示，刻蝕后磷硅玻璃層120的斜面距內(nèi)部的多晶硅110較近，漏源擊穿電壓(BVDSS)較小，導(dǎo)致器件容易被擊穿。發(fā)明內(nèi)容基于此，有必要針對傳統(tǒng)的接觸孔刻蝕...
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