技術(shù)編號：7148925
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及具有5V或更高的工作電壓、具有在半導(dǎo)體層上的由ZrOxNy (氧氮化鋯)形成的柵極絕緣膜和在柵極絕緣膜上的柵電極的MIS型半導(dǎo)體器件，并且還涉及其制造方法。背景技術(shù)隨著近年來半導(dǎo)體器件的進(jìn)一步小型化，需要更薄的晶體管柵極的絕緣膜。然而，存在如下問題當(dāng)常規(guī)使用的SiO2膜變薄時，漏電流增大。因此，通過使用高k(高介電常數(shù))材料代替SiO2來獲得較厚的膜。高k材料包括Hf02、ZrO2, TiO2, HfOxNy, ZrOxNy或類似材料。具體地，在...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。