技術(shù)編號:7149674
提示:您尚未登錄,請點 登 陸 后下載,如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ,登陸完成后,請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本實施例涉及一種發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝以及發(fā)光模塊。背景技術(shù)由于其物理和化學特性,II1-V族氮化物半導體被廣泛用作發(fā)光器件(例如,發(fā)光二極管(LED)或激光二極管(LD))的主要材料。通常,II1-V族氮化物半導體包括組分分子式為InxAlyGanyN (0≤x≤1,0≤y≤1,以及0≤x+y≤1)的半導體材料。LED是半導體器件,其通過使用化合物半導體的特性將電信號轉(zhuǎn)換成紅外線或光來傳送/接收信號。LED還用作光源。使用氮化物半導體材料的LED或LD主...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識儲備,不適合論文引用。