技術(shù)編號：7153163
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明是有關(guān)于一種半導(dǎo)體裝置的制造方法、半導(dǎo)體裝置的制造裝置、半導(dǎo)體裝置、以及轉(zhuǎn)印用組件。背景技術(shù)從前，在結(jié)晶系太陽能電池中，是通過使在硅基板中的平面狀表面變形成凹凸?fàn)睿嗉蠢盟^的「光阱效果」以謀求能量轉(zhuǎn)換效率的提高。此是因為與基板表面為平面的情況相比，在凹凸的斜面上將一度反射的光也受光至鄰接的凹凸的斜面上而吸收，藉此，能夠?qū)嵸|(zhì)上使來自表面的反射率降低。其結(jié)果，由于入射光的總量增大，所以得以實現(xiàn)轉(zhuǎn)換效率的增加。 就上述形成凹凸構(gòu)造的方法而言，例如，提出...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。