技術編號：7153712
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，其中的輻射介質是根據(jù)基本材料的配置而產生的等離子體。這種方法早已問世。例如，在制造半導體的光刻投影中就使用這種方法。對于光刻投影今后的換代產品來說，需要使用遠紫外區(qū)大約5～50nm波長的短波輻射加強光源，遠紫外區(qū)在下文中稱作EUV。確切地說，由于可以使用有效的多層反射器，最有希望的設想是采用13.5nm范圍內的一個非常狹窄的波段。一般來說，目的在于獲得用于光刻的EUV光源，該光源在50W到100W范圍內，具有較高的、全面的有效EUV輸出。在...
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