技術編號：7155945
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及金屬阻擋層的制備工藝，具體而言，涉及。背景技術在現代CMOS器件的制造中，隨著關鍵尺寸的不斷縮小，互聯金屬從鋁過渡到了銅，而金屬阻擋介質層也有傳統(tǒng)的氮化硅過渡到了碳化硅。參考圖Ia和圖Ib所示的傳統(tǒng)的碳化硅薄膜工藝，圖Ia中，襯底101上為低K值介電層102，低K值介電層102上具有多個凹槽(圖Ia中未標號)，所述凹槽中填充有金屬銅且進行看化學機械平坦化制程；圖Ib中，碳化硅薄膜104覆蓋低K值介電層102和金屬銅 103上，碳化硅薄膜104在淀...
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