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技術(shù)編號(hào)：7156734

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本發(fā)明涉及一種晶體管及其制作方法，特別涉及一種在低導(dǎo)通電阻下，可同時(shí)維持高耐壓能力的具有。背景技術(shù)高電子遷移率晶體管(HighElectron Mobility Transistor ；HEMT)是一種異質(zhì)結(jié)構(gòu)場(chǎng)效晶體管(Heterostructure Field Effect Transistor ;HFET)，可應(yīng)用于功率放大器、微波及毫米波等電子組件，對(duì)于通訊電子組件市場(chǎng)扮演重要角色。圖IA即為傳統(tǒng)高電子遷移率晶體管組件結(jié)構(gòu)剖面圖，其包含一半絕緣基板...
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