技術(shù)編號(hào):7157129
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶(hù)請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造工藝,具體而言涉及一種調(diào)整用于NMOS的高k金屬柵結(jié)構(gòu)中的功函數(shù)金屬層的功函數(shù)的方法。背景技術(shù)隨著集成電路制造技術(shù)的不斷革新,集成電路中的各種元件的尺寸不斷縮小,同時(shí)功能化密度不斷增大。在按比例縮小的原則下不斷發(fā)展的集成電路制造技術(shù)提高了生產(chǎn)效率,降低了制造成本;同時(shí),也帶來(lái)了高功耗的問(wèn)題。通過(guò)應(yīng)用具有低功耗特點(diǎn)的半導(dǎo)體器件,例如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS),可以解決上述高功耗的問(wèn)題。典型的CMOS包括柵氧化物和多晶硅柵極。由于半導(dǎo)...
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