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技術(shù)編號(hào)：7157456

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本發(fā)明還涉及一種，特別涉及一種在相同基片上具有n溝道導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管和p溝道導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件，以及一種適用于制造該器件的技術(shù)。背景技術(shù) 作為安裝在半導(dǎo)體器件上的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，已知有一種稱為“MISFET”(金屬絕緣半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)的絕緣柵極場(chǎng)效應(yīng)晶體管。由于MISFET的特征使其容易進(jìn)行高度集成，因此它被廣泛地用作為構(gòu)成集成半導(dǎo)體器件的電路元件。無(wú)論是n溝道導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管還是p溝道導(dǎo)電型場(chǎng)效應(yīng)晶體管，MISFET通常具有一個(gè)溝道形成...
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