技術(shù)編號(hào):7157654
提示:您尚未登錄,請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載,如果您還沒(méi)有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ,登陸完成后,請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體元件。背景技術(shù)作為開(kāi)關(guān)電源、變換器等的電路的元件,使用了寬禁帶半導(dǎo)體的元件受到注目。其中,作為容易成為低導(dǎo)通電阻的元件,例如存在具有氮化鋁鎵(AlGaN)/氮化鎵(GaN)異質(zhì)結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(HFET)。在HFET中,通過(guò)異質(zhì)界面溝道的高移動(dòng)度、通過(guò)壓電極化而產(chǎn)生的高電子濃度,實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻化。但是,若向HFET的柵極 漏極間施加高電壓,則在柵極電極端部引起電場(chǎng)集中。通過(guò)該電場(chǎng)集中而被加速的電子躍入鈍化膜或AlGaN層。結(jié)果,...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán),增加技術(shù)思路,做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備,不適合論文引用。