技術編號：7158043
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種，更具體地，涉及一種具有背柵隔離區(qū)的。背景技術集成電路技術的一個重要發(fā)展方向是金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的尺寸按比例縮小，以提高集成度和降低制造成本。然而，眾所周知的是隨著MOSFET的尺寸減小會產(chǎn)生短溝道效應。隨著MOSFET的尺寸按比例縮小，柵極的有效長度減小，使得實際上由柵極電壓控制的耗盡層電荷的比例減少，從而閾值電壓隨溝道長度減小而下降。在MOSFET中，一方面希望提高器件的閾值電壓以抑制短溝道效應，另一方面也可能希...
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