技術編號：7158316
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種半導體工藝，且尤其涉及一種。 背景技術芯片生產(chǎn)過程中，難免會引入一些雜質離子，雜質離子的存在會導致漏電流的明顯增大。在芯片流片之后，需要測試芯片的靜態(tài)漏電流的設計是否達標，如果芯片的靜態(tài)電流過大，比如應用到手機、筆記本電腦等需要電池供電的芯片會嚴重的影響待機時間，使芯片的在市場競爭處于不利地位，所以靜態(tài)功耗需要慎重考慮。漏電流是PN結在截止時流過的很微小的電流，漏電流對于電路有如下具體四種危害第一，漏電流過大，表明芯片的PN 結時刻有較大電流...
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