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技術(shù)編號(hào)：7159592

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本發(fā)明涉及一種，且特別是一種具有高介電常數(shù)(HighDielectric Constant；High k)薄膜的。背景技術(shù) 在半導(dǎo)體組件尺寸的微小化趨勢(shì)下，組件的關(guān)鍵尺寸(Critical Dimension；CD)持續(xù)微縮化。隨著半導(dǎo)體制備技術(shù)進(jìn)入納米(Nanometer)時(shí)代時(shí)，由于受到材料的性質(zhì)及制備技術(shù)的限制，半導(dǎo)體組件的微小化發(fā)展面臨相當(dāng)嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)。目前的半導(dǎo)體制備中，大都系采用二氧化硅層來作為晶體管組件的柵極介電層。為了增加晶體管組件的運(yùn)轉(zhuǎn)速度...
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