技術(shù)編號(hào)：7159603
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件中集成電路的制造方法，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件中電容器的制造方法。背景技術(shù) 存儲(chǔ)器件的集成度，尤其是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)，持續(xù)地在增加，而貯存信息基本單元的存儲(chǔ)器單元(cell)面積明顯減少。存儲(chǔ)器單元面積減少引起單元電容面積的額外降低，因此降低感測(cè)極限和感測(cè)速度。并且導(dǎo)致由α-粒子所產(chǎn)生軟誤差(soft error)的耐久性降低的其它問題。因此，發(fā)展出一種在限定的面積內(nèi)獲致足夠的電容量的方法是必須的。電容器的電容量由下列的...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。