技術(shù)編號：7160029
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明屬于微電子，涉及半導(dǎo)體材料、器件制作，具體的說是一種半導(dǎo)體器件制作方法，可用于制作深亞微米柵長AlGaN/GaN HEMT。背景技術(shù)近年來以SiC和GaN為代表的第三帶寬禁帶半導(dǎo)體以其大禁帶寬度、高擊穿電場、 高熱導(dǎo)率、高飽和電子速度和異質(zhì)結(jié)界面二維電子氣濃度高等特性，使其受到廣泛關(guān)注。在理論上，利用這些材料制作的HEMT、發(fā)光二極管LED、激光二極管LD等器件比現(xiàn)有器件具有明顯的優(yōu)越特性，因此近些年來國內(nèi)外研究者對其進(jìn)行了廣泛而深入的研究，并取得了...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。