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技術(shù)編號(hào)：7160155

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件領(lǐng)域技術(shù)，尤其涉及處。背景技術(shù)摻氧半絕緣多晶硅(SIPOS)薄膜呈半絕緣性和電中性，與傳統(tǒng)的Si02膜相比，有以下優(yōu)點(diǎn)1、與Si02中含有的固定正電荷不同，SIPOS膜呈電中性，本身無(wú)固定電荷，不會(huì)影響硅襯底表面載流子的重新分布，既可作為P型襯底鈍化膜，也可作為N型襯底鈍化膜。2、SIP0S膜的電阻率介于多晶硅( 3E60hm-cm)和Si02( > lE160hm_cm)之間，為1E8 lElOOhm-cm，具體的數(shù)值由其氧含量...
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