技術(shù)編號：7160198
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。用于阻止半導(dǎo)體層混合的方法以及層狀結(jié)構(gòu)背景技術(shù)已知重摻雜砷化鎵(GaAs)的η型產(chǎn)生多種缺陷，這些缺陷可以移動貫穿整個半導(dǎo)體層。這些缺陷可以從它們起始的半導(dǎo)體層中移出進入一堆半導(dǎo)體層的所有其他層中。當移動進入其他層時，這些缺陷可以引起這些其他層與它們的摻雜劑輪廓相混合。層以及摻雜劑輪廓的這種混合是所不希望的，因為它可能改變材料特性，包括帶隙、電導(dǎo)率，以及相對于未混合層的蝕刻速率。因此用于阻止混合的一種方法將是有很大益處的。當重摻雜的η型(例如，> l...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。