技術(shù)編號：7160768
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及等離子體蝕刻用的電極板和等離子體蝕刻處理裝置。特別是涉及電極板的氣孔的配置。背景技術(shù)在等離子體蝕刻處理裝置的上部電極中，在等離子體生成空間側(cè)設(shè)有電極板 (CEL)、在與等離子體生成空間相反的一側(cè)鄰接地設(shè)有冷卻板(cooling plate)。電極板是由硅Si形成的規(guī)定的厚度的圓板狀構(gòu)件，貫通有用于將氣體導(dǎo)入到等離子體生成空間中的多個(gè)氣孔。各氣孔為細(xì)孔，等間隔地設(shè)在同心圓狀的不同的多個(gè)圓周上。采用上述的結(jié)構(gòu)，電極板用作用于將蝕刻氣體導(dǎo)入到等離子體生...
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