技術(shù)編號：7161178
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細信息。本發(fā)明涉及電容器的結(jié)構(gòu)，尤其涉及形成在半導體集成電路的多層連線結(jié)構(gòu)內(nèi)的MIM(金屬-絕緣-金屬)型電容器的結(jié)構(gòu)。在常規(guī)的模擬/邏輯器件單芯片化的半導體裝置中，形成MIM型電容器時需要增加光掩膜。例如，加工電容器的下部電極需要一片，加工電容器的上部電極也需要一片，共需要增加兩張光掩膜。另外，特開2001-167974號公報、特開2001-237375號公報、特開2000-228497號公報記載了有關(guān)具有電容器的半導體裝置的技術(shù)。但是，這種常規(guī)的電容器制造方法...
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該專利適合技術(shù)人員進行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。