技術(shù)編號(hào)：7161606
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁(yè)查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域，特別是涉及用于制造電阻轉(zhuǎn)換相變存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)介質(zhì)材料。背景技術(shù)存儲(chǔ)器是目前半導(dǎo)體市場(chǎng)的重要組成部分，是信息技術(shù)的基石，無(wú)論在生活中還是在國(guó)民經(jīng)濟(jì)中發(fā)揮著重要的作用。目前，存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)產(chǎn)品主要有閃存，磁盤、動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器，靜態(tài)存儲(chǔ)器等。其他非易失性技術(shù)鐵電體RAM、磁性RAM、碳納米管RAM、電阻式RAM、銅RAM (Copper Bridge)、全息存儲(chǔ)、單電子存儲(chǔ)、分子存儲(chǔ)、聚合物存儲(chǔ)、賽道存儲(chǔ)(RacetrackMemory)、...
注意：該技術(shù)已申請(qǐng)專利，請(qǐng)尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。