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技術(shù)編號(hào)：7162300

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本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制作工藝，更具體地說(shuō)，涉及一種。背景技術(shù)絕緣柵雙極晶體管Gnsulate Gate Bipolar Transistor, IGBT)是由 BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)，非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)，如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。在IGBT器件制造過(guò)程中，在保證器...
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