技術編號：7162965
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及一種微電子的相變薄膜材料，具體涉及一種由鍺-銻-碲摻氮的混合物組成的相變薄膜材料。背景技術相變存儲器是一種利用物質相的變化來實現信息存儲的存儲器，最早是基于20 世紀60年代末S. R. Ovshinsky在硫系化合物中發(fā)現的奧弗辛斯基電子效應，但鑒于當時制備技術和工藝的限制，相變存儲器技術一直發(fā)展緩慢，直至隨著納米制備技術與工藝的發(fā)展，器件中材料的尺寸可以縮小到納米量級，相變存儲器才得到了較快的發(fā)展。相變存儲器利用相變材料在非晶態(tài)和晶態(tài)間可逆相...
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